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什么是CVD？
日期：2024-08-23 12:21
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摘要：
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積），指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應生成薄膜的過(guò)程。在大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過(guò)CVD處理后，表面處理膜密著(zhù)性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。
特點(diǎn)
沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性?xún)?yōu)良。
制備的必要條件
1） 在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當的速度被引入反應室；
2） 反應產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；
3） 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
